Uzelok SC


Перейти к содержанию

Кодовое обозначение некоторых импортных миниатюрных полупроводниковых приборов.

Архив

Кодовое обозначение миниатюрных ПП

Полупроводниковые приборы в корпусе КТ-46 (SOT-23)

ПРИНЯТЫЕ СОКРАЩЕНИЯ В ТАБЛИЦЕ


C-Di - (Capacitance diode [varactor, varicap]) - емкостной диод (варикап);
MOS-N(P)-FET-d(e) - (Metal oxide FET, enhancement type) - МДП - транзистор с каналом N (P);
N-FET - (N-channel field-effect transistors) - полевой транзистор с N-каналом;
PIN-Di - (PIN -diode) - диод;
P-FET - (P- channel field-effect transistors) - полевой транзистор с Р-каналом;
S - (Sensor devices) - сенсорная схема;
Si-Di - (Silicon diode) - кремниевый диод;                                 
Si-N - (Silicon NPN transistor) - кремниевый NPN (обратный) транзистор;
Si-N-Darl - (Silicon NPN Darlington transistor) - кремниевый NPN (обратный) транзистор по схеме Дарлингтона;
Si-P - (Silicon PNP transistor) - кремниевый PNP (прямой) транзистор;
Si-P-Darl - (Silicon PNP Darlington transistor) - кремниевый PNP (прямой) транзистор по схеме Дарлингтона;
Si-St - (Silicon-stabi-diode [operation in forward direction]) - стабилизирующий диод (стабилитрон);
Т - (Tuner Diodes) - переключающий диод;
Tetrode - (P- + N-gate thyristor) - транзистор с четырехслойной структурой;
Vrf - (Voltage reference diodes) - высокостабильный опорный диод;
Vrg - (Voltage requlator diodes) - регулируемый опорный диод;
AM - (RF application) - амплитудная модуляция;
Band-S - (RF band switching) - ключевой элемент (электронный переключатель диапазона);
Chopper - (Chopper) - прерыватель;
Dual - (Dual transistors for differential amplifiers or dual diode) - сдвоенный транзистор (диод);
FED - (Field effect diode) - диод, управляющий напряжением;
FM - (RF application) - частотная модуляция;
HF - (RF application [general]) - высокочастотный диапазон;
LED - (Light-emitting diode) - светодиод;
M - (Mixer stages) - смесительный;
Min - (Miniaturized) - миниатюрный;
NF - (AF applications) - низкочастотный (звуковой) диапазон;
О - (Oscillator stages) - генераторная схема;
га - (Low noise) - малошумящий;
S - (Switching stages) - ключевой;
SS - (Fast switching stages) - быстродействующий ключ;
sym - (SyMinetrical types) - симметричный;
Tr - (Driver stages) - мощной устройство (мощный управляющий ключ);
tuning (RF tuning diode) - переключающий диод для схем переключения диапазона;
Tunnel-Di - (Tunnel diode) - тунельный диод;
UHF - (RF applications [>250MHz]) - ультрокороткий (СВЧ) диапазон;
Uni - (General purpose tyres) - универсальный (массового применения);
V - (Pre/input stages) - предварительный (для входных цепей);
VHF - (RF applications [approx. 100..,250 MHz]) - высокочастотный (УКВ) диапазон;
Vid - (Video output stages) - видеочастотный (для цепей видеочастоты);

Тип прибора

маркировка

структ. код п/п

аналог (прибл.)

Краткие параметры

Типов.

Рев.

ВА316

А6

 

Si-Di

BAW62, 1N4148

Min, S, 85V, 0.1A, <6ns

BAS17

А91

 

Si-St

ВА314

Min, Stabi, 0.75...0.83V/10mA

ВА319

А8

 

Si-Di

BAV19

Min, S, Uni, 120V, 0.2A, <5ms

BAS20

А81

 

Si-Di

BAV20

Min, S, Uni, 200V, 0.2A, <5ms

BAS21

А82

 

Si-Di

BAV21

Min, S, Uni, 250V, 0.2A, <5ms

BAS29

L20

 

Si-Di

BAX12

Min, S, Uni, 300V, 0.25A, <4ms

BAS31

L21

 

Si-Di

2XBAX12

Min, S, Uni, 300V, 0.25A, <4ms

BAS35

L22

 

Si-Di

2xBAX12

Min, S, Uni, 300V, 0.25A, <4ms

ВАТ17

A3

 

Pin-Di

BA480

VHF/UHF-Band-S, 4V, 30mA, 200MHz

ВАТ18

А2

 

Pin-Di

BA482

VHF/UHF-Band-S, 35V, 0.1A, 200MHz

BAV70

А4

 

Si-Di

2xBAW62 1N4148

Min, Dual, 70V, 0.1A, <6ns

BAV99

А7

 

Si-Di

2xBAW62 1N4148

Min, Dual, 70V, 0.1A, <6ns

BAW56

А1

 

Si-Di

2xBAW62 1N4148

Min, Dual, S, 70V, 0.1A, <6ns

BBY31

81

 

C-Di

BB405, BB609

UHF-Tuning, 28V, 20mA, Cd=1.8 - 2.8pF

BBY40

S2

 

C-Di

BB809

UHF-Tuning, 28V, 20mA, Cd=4.3-6pF

ВС807-16

5A

5AR

Si-P

BC327-16

Min, NF-Tr, 45V, 0.5A, 100MHz, B= 100-250

ВС807-25

5BR

Si-P

BC327-25

Min, NF-Tr, 45V, 0.5A, 100MHz, B= 160-400

ВС807-40

5CR

Si-P

BC327-40

Min, NF-Tr, 45V, 0.5A, 100MHz, B= 250-600

ВС808-16

5ER

Si-P

BC328-16

Min, NF-Tr, 25V, 0.5A, 100MHz, B= 100-250

ВС808-25

5F

5FR

Si-P

BC328-25

Min, NF-Tr, 25V, 0.5A, 100MHz, B= 160-400

BC808-40

5G

5GR

Si-P

BC328-40

Min, NF-Tr, 25V, 0.5A, 100MHz, B= 250-600

BC817-16

6A

6AR

Si-N

BC337-16

Min, NF-Tr, 5V, 0.5A, 200MHz, B= 100-250

BC846B

1BR

Si-N

BC546B

Min, Uni, 80V, 0.1A, 300MHz

BC847A

1E

1ER

Si-N

BC547A, BC107A

Min, Uni, 45V, 0.1A, 300MHz, B= 110-220

BC847B

1F

1FR

Si-N

BC547B, BC107B

Min, Uni, 45V, 0.1A, 300MHz, B= 200-450

BC847C

1G

1GR

Si-N

BC547C, BC107C

Min, Uni, 45V, 0.1A, 300MHz, B= 420-800

BC848A

U

1JR

Si-N

BC548A, BC108A

Min, Uni, 30V, 0.1A, 300MHz, B= 110-220

BC848B

1K

1KR

Si-N

BC548B, BC108B

Min, Uni, 30V, 0.1A, 300MHz, B= 200-450

BC848C

1L

1LR

Si-N

BC548C, BC108C

Min, Uni, 30V, 0.1A, 300MHz, B= 420-800

BC849B

2BR

Si-N

BC549B, ВС108В

Min, Uni, ra 30V, 0.1A, 300MHz, B= 200-450

BC849C

2CR

Si-N

BC549C, BC109C

Min, Uni, ra, 30V, 0.1A, 300MHz, B= 420-800

BC850B

2F

2PR

Si-N

BC550B, BCY59

Min, Uni, ra, 45V, 0.1A, 300MHz, B= 200-450

BC850C

2G

2GR

Si-N

BC550C, BCY59

Min, Uni, ra, 45V, 0.1A, 300MHz, B= 420-800

BC856A

ЗА

3AR

Si-P

BC556A

Min, Uni, 65V, 0.1A, 150MHz, B= 125-250

BC856B

3BR

Si-P

BC556B

Min, Uni, 65V, 0.1A, 150MHz, B= 220-475

BC857A

ЗЕ

3ER

Si-P

BC557A, BC177A

Min, Uni, 45V, 0.1A, 150MHz, B= 125-250

BC857B

3F

3FR

Si-P

BC557B, BC177B

Min, Uni, 45V, 0.1A, 150MHz, B= 220-475

ВС857С

3G

3GR

Si-P

BC557C

Min, Uni, 45V, 0.1A, 150MHz, B= 420-800

ВС858А

3J

3JR

Si-P

BC558A, BC178A

Min, Uni, 30V, 0.1A, 150MHz B= 125-250

ВС858В

ЗК

3KR

Si-P

BC558B, BC178B

Min, Uni, 30V, 0.1A, 150MHz B= 220-475

ВС858С

3L

3LR

Si-P

BC558C

Min, Uni, 30V, 0.1A, 150MHz B= 420-800

ВС859А

4AR

Si-P

BC559A, BC179A, BCY78

Min, Uni, га, 30V, 0.1A, 150MHz, B= 150

ВС859В

4BR

Si-P

BC559B, BCY79

Min, Uni, rа,30V, 0.1A, 150MHz, B= 220-475

ВС859С

4CR

Si-P

BC559C, BCY79

Min, Uni, га, 30V, 0.1A, 150MHz, B= 420-800

ВС860А

4ER

Si-P

BC560A, BCY79

45V, 0.1A, 150MHz, B= 150

ВС860В

4F

4FR

Si-P

BC560B, BCY79

Min, Uni, га, 45V, 0.1A, 150MHz, B= 220-475

ВС860С

4G

4GR

Si-P

BC560C, BCY79

Min, Uni, га, 45V, 0.1A, 150MHz, B= 420-800

BCF29

С7

С77

Si-P

BC559A, BCY78, BC179

Min, NF-V, га, 32V, 0.1A, 150MHz,

BCF30

С8

С9

Si-P

BC559B, BCY78

Min, NF-V, га, 32V, 0.1A, 150MHz,

BCF32

07

077

Si-N

BC549B, BCY58, BC109

Min, NF-V, га, 32V, 0.1A, 300MHz,

BCF33

D8

D81

Si-N

BC549C, BCY58

Min, NF-V, га, 32V, 0.1A, 300MHz,

BCF70

Н7

Н71

Si-P

BC560B, BCY79

Min, NF-V, га, 50V, 0.1A, 1500MHz,

BCF81

К9

К91

Si-N

BC550C

Min, NF-V, 50V, 0.1A, 300MHz, га

BCV71

К7

К71

Si-N

BC546A

NF/S, 80V,0.1A, 300MHz, B=110-220

BCV72

К8

К81

Si-N

BC546B

NF/S, 80V,0.1A, 300MHz, B=200-450

BCW29

С1

С4

Si-P

BC178A, BC558A

Min, Uni, 30V, 0.1A, 150MHz, B= >120

BCW30

С2

С5

Si-P

BC178B, BC558B

Min, Uni, 30V, 0.1A, 150MHz, В= >215

BCW31

D1

D4

Si-N

ВС108А,ВС548А

Min, Uni, 30V, 0.1A, 300MHz, В= >110

BCW32

02

D5

Si-N

ВС108В, ВС548

Min, Uni, 30V, 0.1A, 300MHz, B= >200

BCW33

D3

06

Si-N

ВС108С, ВС548С

Min, Uni, 30V, 0.1A, 300MHz, B= >420

BCW60A

АА

 

Si-N

ВС548А

Min, Uni, 32V, 0.1A, 250MHz, B= 110-220

BCW60B

АВ

 

Si-N

ВС548В

Min, Uni, 32V, 0.1A, 250MHz, S= 200-450

BCW60C

АС

 

Si-N

ВС548В

Min, Uni, 32V, 0.1A, 250MHz, B= 420-600

BCW60D

AD

 

Si-N

ВС548С

Min, Uni, 32V, 0.1A, 250MHz, B= 620-800

BCW61A

ВА

 

Si-P

BC558A

Min, Uni, 32V, 0.2A, 180MHz, B= 110-220

BCW61B

ВВ

 

Si-P

BC558B

Min, Uni, 32V, 0.2A, 250MHz, B= 200-450

BCW61C

ВС

 

Si-P

BC558B

Min, Uni, 32V, 0.2A, 250MHz, B= 420-620

BCW61D

BD

 

Si-P

BC558C

Min, Uni, 32V, 0.2A, 250MHz, B= 600-800

BCW69

Н1

Н4

Si-P

ВС557А

Min, Uni, 50V, 0.1A, 150MHz, B>120

BCW70

Н2

Н5

Si-P

ВС557В

Min, Uni, 50V, 0.1A, 150MHz, B>215

BCW71

К1

К4

Si-N

ВС547А

Min, NF, 50V, 0.1A, 300MHz, B>110

BCW72

К2

К5

Si-N

ВС 547В

Min, NF, 50V, 0.1A, 300MHz, B>200

BCW81

КЗ

К31

Si-N

ВС547С

Min, NF, 50V, 0.1A, 300MHz, B>420

BCW89

НЗ

Н31

Si-P

ВС556А

Min, Uni, 80V, 0.1A, 150MHz, B>120

BCX17

Т1

Т4

Si-P

ВС327

Min, NF-Tr, 50V,0.5A, 100MHz

BCX18

Т2

Т5

Si-P

ВС328

Min, NF-Tr, 30V.0.5A, 100MHz

BCX19

U1

U4

Si-N

BC337

Min, NF-Tr, 50V.0.5A, 200MHz

BCX20

U2

U5

Si-N

ВС 33 8

Min, NF-Tr, 30V,0.5A, 200MHz

BCX70G

AG

 

Si-N

BC107A, BC547A

Min, Uni, 45V, 0.2A, 250MHz, B= 110-220

BCX70H

AH

 

Si-N

ВС 107В, BC547B

Min, Uni, 45V, 0.2A, 250MHz, B= 200-450

BCX70J

AJ

 

Si-N

ВС107В, BC547B

Min, Uni, 45V, 0.2A, 250MHz, B= 420-620

BCX70K

AK

 

Si-N

ВС107С, BC547C

Min, Uni, 45V, 0.2A, 250MHz, B= 600-800

BCX71G

BG

 

Si-P

ВС177А, BC557A

Min, Uni, 45V, 0.2A,180MHz, B= 125-250

BCX71H

BH

 

Si-P

ВС 177В, BC557B

Min, Uni, 45V, 0.2A.180MHz, B= 220-475

BCX71J

BJ

 

Si-P

ВС 177В, BC557B

Min, Uni, 45V, 0.2A,180MHz, B= 420-650

BCX71K

BK

 

Si-P

ВС557С

Min, Uni, 45V, 0.2A.180MHz, B= 620-800

BF510

S6

 

N-FET

BF410A

Min, VHF-ra, 20V, ldss= 0.7-3mA, Vp= 0.8V

BF511

S7

 

N-FET

BF410B

Min, VHF-ra, 20V, !dss= 2.5-7mA, Vp= 1.5V

BF512

S8

 

N-FET

BF410C

Min, VHF-ra, 20V, ldss= 6-12mA, Vp= 2.2V

BF513

S9

 

N-FET

BF410D

Min, VHF-ra, 20V, ldss= 10-18mA, Vp= 3V

BF536

G3

 

SI-P

BF936

Min, VHF-M/0, 30V, 25mA, 350MHz

BF550

G2

G5

Si-P

BF450

Min, HF/ZF, 40V, 25mA, 325MHz

BF569

G6

 

Si-P

BF970

Min, UHF-M/0, 40V, 30mA, 900MHz

BF579

G7

 

Si-P

BF979

Min, VHF/UHF, 20V, 25mA, 1.35GHZ

BF660

G8

G81

Si-P

BF606A

Min, VHF-0, 40V, 25mA, 650MHz

BF767

G9

 

Si-P

BF967

Min, VHF/YHF-ra, 30V,20mA,900MHz

BF820

   

S-N

BF420

Min, Vid, 300V, 25-50mA, >60MHz

BF821

1W

 

Si-P

BF421

Min, Vid, 300V, 25-50mA, >60MHz

BF822

 

Si-N

BF422

Min, Vid, 250V, 25-50mA, >60MHz

BF823

1Y

 

Si-P

BF423

Min, Vid, 250V, 25-50mA, >60MHz

BF824

F8

 

Si-P

BF324

Min, FM-V, 30V, 25mA, 450MHz

BF840

F3

 

Si-N

BF240

Min, Uni, 15V, 0 1A, 0.3W,>90MHz

BF841

F31

 

SI-N

BF241

Min, AM/FM-ZF, 40V,25mA, 400MHz

BFR30

М1

 

N-FET

BFW-11, BF245

Min, Uni, 25V, ldss>4mA, YP<5V

BFR31

М2

 

N-FET

BFW12, BF245

Min, Uni, 25V, ldss>1mA, YP<2 5V

BFR53

N1

N4

Si-N

BFW30, BFW93

Min, YNF-A, 18V, 50mA, 2GHz

BFR92

Р1

Р4

Si-N

BFR90

Min, YHF-A, 20V, 25mA, 5GHz

BFR92A

Р2

РЬ

Si-N

BFR90

Min, YHF-A, 20V, 25mA, 5GHz

BFR93

R1

R4

Si-N

BFR91

Min, YHF-A, 15V, 35mA, 5-6GHz

BFR93A

R2

R5

Si-N

BFR91

Min, YHF-A, 15V, 35mA, 5-6GHz

BFS17, (BFS17A)

Е1 (Е2)

Е4 (F5)

Si-N

BFY90, BFW92(A)

Min, VHP/YHF, 25V, 25mA, 1-2GHz

BFS18

F1

F4

Si-N

BF185, BF495

Min, HF, 30V, 30mA, 200MHz

BFS19

F2

F5

Si-N

BF184, BF494

Min, HF, 30V, 30mA, 260MHz

BFS20

G1

G4

Si-N

BF199

Min, HF, 30V, 30mA,450MHz

BFT25

V1

V4

Si-N

BFT24

Min, UHF-A, 8v, 2.5mA, 2.3GHZ

BFT46

МЗ

 

NFT

BFW13, BF245

Min, NF/HF, 25V, ldss>0.2mA, Up<1.2V

BFT92

W1

W4

Si-P "

BFQ51, BFQ52

Min, UHF-A, 20V, 25mA, 5GHz

BFT93

Х1

Х4

Si-P

BFQ23, BFQ24

Min, UHF-A, 15V,35mA, 5GHz

BRY61

А5

 

BYT

BRY56

70V

BRY62

А51

 

Tetrode

BRY56, BRY39

Tetrode, Min, 70V, 0.175A

BSR12

B5

В8

Si-P

2N2894A

Min, S, 15V,0.1A,>1.5GHz <20/30ns

BSR13

U7

U71

Si-N

2N2222, PH2222

Min, HF/S, 60V, 0.8A, <35/285ns

BSR14

U8

U81

Si-N

2N2222A, PH2222A

Min, HF/S, 75V, 0.8A, <35/285ns

BSR15

T7

T71

Si-P

2N2907, PH2907

Min, HF/S, 60/40V, 0.6A, <35/110ns

BSR16

T8

T81

Si-P

2N2907A, PH2907A

Min, HF/S, 60/60V, 0.6A, <35/110ns

BSR17

U9

U91

Si-N

2N3903

Min, HF/S, 60V, 0.2A, <70/250ns, B-50-150

BSR17A

U92

U93

Si-N

2N3904

Min, HF/S, 60V, 0.2A, <70/225ns, B= 100-300

BSR18

T9

T91

Si-P

2N3905

Min, HF/S, 40V, 0.2A, 200MHz

BSR18A

T92

T93

Si-P

2N3906

Min, HF/S, 40V, 0.2A, 250MHz

BSR19

U35

 

Si-N

2N5550

Min, HF/S, 160V, 0.6A, >100MHz

BSR19A

U36

 

Si-N

2N5551

Min, HF/S, 180V, 0.6A, >100MHz

BSR20

T35

 

Si-P

2N5400

Min, HF/S, 130V, 0.6A, >100MHz

BSR20A

T36

 

Si-P

2N5401

Min, HF/S, 160V, 0.6A, >100MHz

BSR56

M4

 

N-FET

2N4856

Min, S, Chopper, 40V, Idss >40mA, Up <10V

BSR57

M5

 

N-FET

2N4857

Min, S, Chopper, 40V, Idss >20mA, Up <6V

BSR58

M6

 

N-FET

2N4858

Min, S, Chopper, 40V, Idss >8mA, Up <4V

BSS63

T3

T6

Si-P

BSS68

Min, Uni, 110V, 0.1A, 85MHz

BSS64

U3

U6

Si-N

BSS38

Min, Uni, 120V, 0.1A, 100MHz

BSV52

B2

B3

Si-N

PH2369, BSX20

Min, S, 20V, 0.1A, <12/18ns

BZX84-...

см.пр им.

 

Si-St

BZX79

Min, Min/Vrg Uz= 2.4-75V, P=0.3W

PBMF4391

M62

 

N-FET

-

Min, 40V, ldss= 50mA, Up= 10V

PBMF4392

M63

 

N-FET

-

Min, 40V, ldss= 25mA, Up= 5V

PBMF4393

M64

 

N-FET

-

Min, 40V, ldss= 5mA, Up= 3V

ПРИМЕЧАНИЕ: маркировка диодов серии BZX84... приведена в таблице ниже

Тип

марк.

Тип

марк.

Тип

марк.

Тип

марк.

.....C2V4

Z11

.....C2V7

Z12

.....C3VO

Z13

.....C3V3

Z14

.....C3V6

Z15

.....C3V9

Z16

.....C4V3

Z17

.....C4V7

Z1

.....C5V1

Z2

.....C5V6

Z3

.....C6V2

Z4

.....C6V8

Z5

.....C7V5

Z6

.....C8V2

Z7

.....C9V1

Z8

.....С10

Z9

.....С11

Y1

.....С12

Y2

.....С13

Y3

.....С15

Y4

.....С16

Y5

.....С18

Y6

.....С20

Y7

.....С22

Y8

.....С24

Y9

.....С27

Y10

.....С30

Y11

.....С33

Y12

.....С36

Y13

.....С39

Y14

.....С43

Y15

.....С47

Y16

.....С51

Y17

.....С56

Y18

.....С62

Y19

.....С68

Y20

.....С75

Y21

     

Полупроводниковые приборы в корпусе КТ-47 (SOT-89)

Тип прибора

Цветовая маркировка

Структ. п/п

Аналог (прибл)

Краткие параметры

BC868

САС

Si-N

BC368, BD329

Min, NF-Tr/E, 25V, 1A, 60MH2

ВС869

СЕС

Si-P

BC369, BD330

Min, NF-Tr/E, 25V, 1A, 60MHz

BCV61

D91

Si-N

 

Min, temp-komp., 50V, 0.1A, 300MHz

BCV62

С91

Si-P

-

Min, temp-komp., 50V, 0.1A, 150MHz

ВСХ51

АА

Si-P

BC636, BD136

Min, NF-Tr, 45V, 1A, 50MHz

ВСХ52

АЕ

Si-P

BC638, BD138

Min, NF-Tr, 60V, 1A, 50MHz

ВСХ53

АH

Si-P

BC640, BD140

Min, NF-Tr, 100V, 1A, 50MHz

ВСХ54

Si-P

BC635, BD135

Min, NF-Tr, 45V, 1A, 50MHz

ВСХ55

BE

Si-N

BC637, BD137

Min, NF-Tr, 60V, 1A, 50MHz

ВСХ56

ВН

Si-N

BC639, BD139

Min, NF-Tr, 100V, 1A, 50MHz

ВСХ68

СА

Si-N

BC368, BD329

Min, Uni, 25V, 1A, 65MHz

ВСХ69

СЕ

Si-P

BC369, BD300

Min, Uni, 25V, 1A, 65MHz

BF620

ОС

Si-N

BF420, BF471, BF871

Min, Vid, 300V, 0.02A, >60MHz

BF621

DF

Si-P

BF421, BF472, BF872

Min, Vid, 300V, 0.02A, >60MHz

BF622

DA

Si-N

BF422, BF469, BF869

Min, Vid, 250V, 0.02A, >60MHz

BF623

DB

Si-P

BF423, BF470, BF870

Min, Vid, 250V, 0.02A, >60MHz

BFQ17

FA

Si-N

BFW16A

Min, VHF/UHF-A, 40V, 150mA, 1.2GHz

BFQ18A

FF

Si-N

BFQ34, BFQ64

Min, UHF-A, 25V, 150mA, 3.6GHz

BFQ19

FB

Si-N

BFR96, 2SC3268

Min, UHF-A, 20V, 75mA, 5GHz

BFQ67

V2

Si-N

BFQ65

Min, UHF-A, 20V, 50mA, 7.5GHz, ra

BSR30

BR1

Si-P

2N4030

Min, NF/S, 70V, 1A, <500/650ns, B>40

BSR31

BR2

Si-P

2N4031

Min, NF/S, 70V, 1A,<500/650ns, B>100

BSR32

BR3

Si-P

2N4032

Min, NF/S, 90V, 1A, <500/650ns, B>40

BSR33

BR4

Si-P

2N4033

Min, NF/S, 90V, 1A,<500/650ns, B>100

BSR40

AR1

Si-N

BSX46-6

Min, NF/S, 70V, 1A,<250/1000ns, B>40

BSR41

AR2

Si-N

BSX46-16

Min, NF/S, 70V,1A,<250/1000ns,B>100

BSR42

AR3

Si-N

2N3020

Min, NF/S, 90V,1A,<250/1000ns, B>40

BSR43

AR4

Si-N

2N3019

Min, NF/S, 90V,1A,<250/1000ns,B>100

BST15

BT1

Si-P

2N5415

Min, NF/S/Vid, 200V, 1A, >15MHz

BST16

BT2

Si-P

2N5416

Min, NF/S/Vid, 350V, 1A, >15MHz

BST39

AT1

Si-N

-

Min, NF/S/Vid, 450V, 1A, >15MHz

BST40

AT2

Si-N

-

Min, NF/S/Vid, 300V, 1A, >15MHz

BST50

AS1

Si-N-Darl

BSR50, BSS50, BDX42

Min, 60V, 1A, 350MHz, B>2000

BST51

AS2

Si-N-Darl

BSR51, BSS51, BDX43

Min, 80V,1A, 350MHz, B>2000

BST52

AS3

Si-N-Darl

BSR52, BSS52, BDX44

Min, 100V,1A, 350MHz, B>2000

BST60

BS1

Si-P-Darl

BSR60, BSS60, BDX45

Min, 60V,1A, 350MHz, B>2000

BST61

BS2

Si-P-Darl

BSR61, BSS61, BDX46

Min, 80V,1A, 350MHz, B>2000

BST62

BS3

Si-P-Darl

BSR62, BSS62, BDX47

Min, 100V,1A, 350MHz, B>2000

BST80

KM

MOS-N-FET-e

BST70A

V-MOS, Min, 80V, 0.5A, 1W, <10/15ns

BST84

KN

MOS-N-FET-e

BST24A

V-MOS, Min, 200V, 0.3A, 1W, <10/15ns

BST86

KQ

MOS-N-FET-e

BST76A

V-MOS, Min, 180V, 0.3A, 1W, <10/15ns

BST120

LM

MOS-P-FET-e

BST100

V-MOS,SS, 60V, 0.3A, 1W, <4/20ns

BST122

LN

MOS-P-FET-e

BST110, BS250

V-MOS,SS, 50V, 0.3A, 1W, <4/20ns

BZV49

см.прим.

Z-Di

BZV85

Min, Mn/Vrg Uz= 2.4 - 75V, P= 1W

ПРИМЕЧАНИЕ: маркировка диодов серии BZV49... приведена в таблице ниже

Тип

марк.

Тип

марк.

Тип

марк.

Тип

марк.

.....C2V4

Z11

.....C2V7

Z12

.....C3VO

Z13

.....C3V3

Z14

.....C3V6

Z15

.....C3V9

Z16

.....C4V3

Z17

.....C4V7

Z1

.....C5V1

Z2

.....C5V6

Z3

.....C6V2

Z4

.....C6V8

Z5

.....C7V5

Z6

.....C8V2

Z7

.....C9V1

Z8

.....С10

Z9

.....С11

Y1

.....С12

Y2

.....С13

Y3

.....С15

Y4

.....С16

Y5

.....С18

Y6

.....С20

Y7

.....С22

Y8

.....С24

Y9

.....С27

Y10

.....С30

Y11

.....С33

Y12

.....С36

Y13

.....С39

Y14

.....С43

Y15

.....С47

Y16

.....С51

Y17

.....С56

Y18

.....С62

Y19

.....С68

Y20

.....С75

Y21

     

Полупроводниковые приборы в корпусе KT-48(SOT-143)

Тип прибора

Цветовая маркировка

Структ. п/п

Аналог (прибл)

Краткие параметры

BAS28

А61

Si-Di

2x1N4148

S, 70V, 0.25A, <4ns

BAV23

L30

Si-Di

2x BAV21

S, Uni, 250V, 0.25A, <50ns

BF989

М89

MOS-N-FET-d

BF960

Dual-Gate, Min, UHF, 20V, Idss >2mA, Up <2.7V

BF990

М90

MOS-N-FET-d

BF980

Dual-Gate, Min, UHF, 18V, Up<2.5V

BF991

М91

MOS-N-FET-d

BF981

Dual-Gate, Min, FM/VHF, 18V, Idss >4mA, Up <2.5V

BF992

М92

MOS-N-FET-d

BF982

Dual-Gate, Min, FM/VHF, 20V, Up <1.3V

BF994 (BF994S)

M94 (M93)

MOS-N-FET-d

BF964 (BF964S)

Dual-Gate, Min, FM/VHF, Idss >6mA, Up <3.5V

BF996 (BF996S)

M96(M95)

MOS-N-FET-d

BF966 (BF966S)

Dual-Gate, Min, UHF, 20V, Idss >2mA, Up <2.5V

BFG67

V3

Si-N

BFG65

Min, VHF/UHF-A, 20V, 0.05A, 7.5GHz

BFR101A (BFR101B)

M97 (M98)

N-FET

-

Min, Uni, sym, 30V, Idss >0.2mA, Up <2.5V

BSD20

M31

MOS-N-FET-d

-

SS, Chopper, Min, 15V, 50mA, 1/5ns

BSD22

M32

MOS-N-FET-d

-

SS, Chopper, Min, 25V, 50mA, 1/5ns

BSS83

M74

MOS-N-FET-e

-

Min, HF, 25V, Up <2V

Полупроводниковые приборы в корпусе КД-80 (SOD-80)

Тип прибора

Цветовая маркировка

Структ. п/п

Аналог (прибл)

Краткие параметры

ВА682

красная полоса

Pin-Di

BA482

VHF/UHF-Band-S, Min, 35V, 0.1 A, 200MHz

ВА683

красная + оранжевая

Pin-Di

BA483

VHF/UHF-Band-S, Min, 35V, 0.1A, 200MHz

BAS32

черн. полоса

Si-Di

1N4148

Min, SS, 75V, 0.2A, <4ns

BAV100

зелен. + черн.

Si-Di

BAV18

S, Uni, 25V, 0.25A, <50ns

BAV101

зелен. + коричн

Si-Di

BAY 19

S, Uni, 120V, 0.25A, <50ns

BAV102

зелен.+ красн.

Si-Di

BAV20

S, Uni, 200V, 0.25A, <50ns

BAV103

зелен. + оранж.

Si-Di

BAV21

S, Uni, 250V, 0.25A, <50ns

ВВ215

белая + зелен.

C-Di

BB405B

UHF-Tuning, 28V, 20mA, Cp >18pF

ВВ219

белая

C-Di

BB909

Min, VHF-Tuning, 8V,20mA,Cp>31pF

Hosted by uCoz

Наши спонсоры:









Назад к содержанию | Назад к главному меню
Hosted by uCoz